专利摘要显示，本公开提供一种测试方法，测试方法包括：设置反熔丝模型为未熔断状态；配置反熔丝模型的熔断条件；将反熔丝模型被配置为，当反熔丝模型满足熔断条件时，将反熔丝模型的未熔断状态调整为熔断状态；其中，熔断条件包括反熔丝模型的编程电压大于或等于预设熔断电压且反熔丝模型的编程时间大于或等于预设熔断时间。在本公开中，通过使反熔丝模型在编程电压和编程时间满足熔断条件后熔断，降低了反熔丝模型与实际的反熔丝晶体管的物理特性的差异，从而提高了存储器电路仿真结果的可靠性。同时，通过在反熔丝模型满足熔断条件后，自动地调整反熔丝模型的状态，从而提高了存储器电路仿真的效率。